Транзистор CS1N65_B3
CS1N65_B3 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-251
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 32 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 650 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 1.5 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 9.5 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 4.5 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 17 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор CS1N65_B3 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| CS1N65B3 |
PTH |
N |
32 |
650 |
30 |
4 |
1.5 |
9.5 |
5.3 |
4.5 |
17 |
150 |
TO-251 |