Транзистор CS1N80A1H
CS1N80A1H - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-92
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 3 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 800 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 0.65 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 15 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 6.7 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 4.6 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 16 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор CS1N80A1H можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| CS1N80A3H |
PTH |
N |
30 |
800 |
30 |
4 |
1 |
15 |
6.7 |
4.6 |
16 |
150 |
TO-251 |
| CS1N80A4H |
SMD |
N |
30 |
800 |
30 |
4 |
1 |
15 |
6.7 |
4.6 |
16 |
150 |
TO-252 |