Транзистор CS3N65A4H-G

CS3N65A4H-G - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: TO-252

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 55 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 650 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 3 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 3.5 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 11 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 6 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 39 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор CS3N65A4H-G можно заменить на:

Нет элементов для замены