Транзистор CS6N60A4D
CS6N60A4D - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 85 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 6 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 1.7 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 17 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 14 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 74 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор CS6N60A4D можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| CS6N60A3TY |
PTH |
N |
85 |
600 |
30 |
4 |
6 |
1.7 |
17 |
14 |
74 |
150 |
TO-251 |