Транзистор CS730_A4RD
CS730_A4RD - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 75 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 400 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 6 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 1 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 11 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 68 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор CS730_A4RD можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AOT11S60L |
PTH |
N |
178 |
600 |
30 |
4.1 |
11 |
0.399 |
- |
2 |
37.3 |
150 |
TO-220 |
| CS730_A3RD |
PTH |
N |
75 |
400 |
30 |
- |
6 |
1 |
- |
11 |
68 |
150 |
TO-251 |
| CS730A3RD |
PTH |
N |
75 |
400 |
30 |
4 |
6 |
1 |
14.5 |
11 |
68 |
150 |
TO-251 |
| CS730A4RD |
SMD |
N |
75 |
400 |
30 |
4 |
6 |
1 |
14.5 |
11 |
68 |
150 |
TO-252 |
| SIHD6N62E |
SMD |
N |
78 |
620 |
30 |
4 |
6 |
0.9 |
17 |
10 |
36 |
150 |
TO-252 |
| SIHU6N62E |
PTH |
N |
78 |
620 |
30 |
4 |
6 |
0.9 |
17 |
10 |
36 |
150 |
TO-251 |
| SSF11NS65U |
PTH |
N |
83 |
650 |
30 |
- |
11 |
0.38 |
- |
6 |
34 |
150 |
TO-220 |
| SSF7NS65G |
PTH |
N |
83 |
650 |
30 |
- |
7 |
0.65 |
- |
5.8 |
26.5 |
150 |
TO-251 |
| STD12N50M2 |
SMD |
N |
85 |
500 |
30 |
4 |
10 |
0.38 |
15 |
10.5 |
33 |
150 |
DPAK |