Транзистор CS80N60P3
CS80N60P3 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-258
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1300 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 80 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.07 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор CS80N60P3 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IXFB110N60P3 |
PTH |
N |
1890 |
600 |
30 |
5 |
110 |
0.056 |
245 |
250 |
- |
150 |
PLUS264 |
| IXFK80N60P3 |
PTH |
N |
1300 |
600 |
30 |
5 |
80 |
0.07 |
190 |
250 |
- |
150 |
TO-264 |
| IXFN110N60P3 |
Модуль |
N |
1500 |
600 |
30 |
5 |
90 |
0.056 |
254 |
250 |
- |
150 |
ISOTOP |
| IXFX80N60P3 |
PTH |
N |
1300 |
600 |
30 |
5 |
80 |
0.07 |
190 |
250 |
- |
150 |
PLUS247 |