Транзистор CSD16327Q3

CSD16327Q3 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: SON3.3X3.3

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 3 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 25 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 10 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1.4 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 21 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.004 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 6.2 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 15 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 740 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор CSD16327Q3 можно заменить на:

Нет элементов для замены