Транзистор CSD16570Q5B

CSD16570Q5B - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: SON5X6

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 3.2 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 25 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1.9 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 59 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.00059 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 95 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 43 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 1660 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор CSD16570Q5B можно заменить на:

Нет элементов для замены