Транзистор CSD17313Q2
CSD17313Q2 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SON2X2
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2.3 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 10 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1.8 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 5 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.03 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 2.1 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 3.9 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 140 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор CSD17313Q2 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| CSD17313Q2Q1 |
SMD |
N |
2.4 |
30 |
10 |
1.8 |
5 |
0.03 |
2.1 |
3.9 |
140 |
150 |
SON2X2 |