Транзистор CSD19537Q3

CSD19537Q3 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: SON3.3X3.3

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2.8 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3.6 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 9.7 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0145 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 16 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 3 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 251 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор CSD19537Q3 можно заменить на:

Нет элементов для замены