Справочник электронных компонентов

Транзистор CSTT90P10P

CSTT90P10P - Транзистор полевой MOSFET структуры P

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-258A

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 190 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 90 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.025 Ом
Общий заряд затвора, Qg: -
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор CSTT90P10P можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
IXTH90P10P	PTH	P	462	100	20	4	90	0.025	120	144	-	175	TO-247
IXTK170P10P	PTH	P	890	100	20	4	170	0.012	240	176	-	150	TO-264
IXTN170P10P	Модуль	P	890	100	20	4	170	0.012	240	176	-	150	ISOTOP
IXTR170P10P	PTH	P	312	100	20	4	108	0.013	240	176	-	150	ISOPLUS247
IXTT90P10P	SMD	P	462	100	20	4	90	0.025	120	144	-	150	TO-268
IXTX170P10P	PTH	P	890	100	20	4	170	0.012	240	176	-	150	PLUS247