Транзистор DMN3010LSS
DMN3010LSS - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SO-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2.5 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 16 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.013 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 13 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 2096 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: -
Транзистор DMN3010LSS можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| CSD17505Q5A |
SMD |
N |
3.2 |
30 |
20 |
1.8 |
24 |
0.0035 |
10 |
11.5 |
1030 |
150 |
SON5X6 |
| CSD17506Q5A |
SMD |
N |
3.2 |
30 |
20 |
1.8 |
23 |
0.004 |
8.3 |
13 |
860 |
150 |
SON5X6 |
| CSD17510Q5A |
SMD |
N |
3 |
30 |
20 |
2.1 |
20 |
0.0052 |
6.4 |
11 |
630 |
150 |
SON5X6 |
| CSD18503Q5A |
SMD |
N |
3.1 |
40 |
20 |
2.3 |
19 |
0.0043 |
13 |
8.8 |
510 |
150 |
SON5X6 |
| NVMFS5C670NL |
SMD |
N |
3.6 |
60 |
20 |
2 |
17 |
0.0061 |
9 |
60 |
690 |
175 |
DFN5X6 |
| NVTFS4C06N |
SMD |
N |
3.1 |
30 |
20 |
2.2 |
21 |
0.0042 |
11.6 |
32 |
841 |
175 |
WDFN8 |
| NVTFS4C08N |
SMD |
N |
3.1 |
30 |
20 |
2.2 |
17 |
0.0059 |
8.4 |
33 |
702 |
175 |
WDFN8 |