Транзистор DMN3030LSS
DMN3030LSS - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SO-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2.5 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 25 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 9 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.03 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 16.7 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 741 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: -
Транзистор DMN3030LSS можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| SSM4800AGM |
SMD |
N |
2.5 |
30 |
25 |
3 |
9.4 |
0.014 |
7 |
8 |
210 |
150 |
SO-8 |
| SSM6680GM |
SMD |
N |
2.5 |
30 |
25 |
3 |
11.5 |
0.011 |
16.8 |
7.3 |
285 |
150 |
SO-8 |
| TSM35N03PQ56 |
SMD |
N |
4.2 |
30 |
25 |
2.5 |
22 |
0.007 |
8.2 |
9 |
210 |
150 |
PDFN5X6 |