Транзистор F501
F501 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOT-23
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 0.5 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 0.03 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 750 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 55.8 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 4.53 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор F501 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| BRM501D |
SMD |
N |
0.5 |
600 |
20 |
- |
0.03 |
700 |
- |
55.8 |
4.53 |
150 |
SOT-23 |
| KX1N60DS |
SMD |
N |
0.5 |
600 |
20 |
- |
0.03 |
350 |
- |
55.8 |
4.53 |
150 |
SOT-23 |
| MMFTN501 |
SMD |
N |
0.5 |
600 |
20 |
- |
0.03 |
700 |
- |
55.8 |
4.53 |
150 |
TO-236 |