Транзистор FCB110N65F

FCB110N65F - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: D2PAK

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 357 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 650 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 35 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.11 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 98 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 21 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 110 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор FCB110N65F можно заменить на:

Нет элементов для замены