Транзистор FCD2250N80Z
FCD2250N80Z - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: DPAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 39 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 800 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 2.6 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 2.25 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 6.7 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 16 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FCD2250N80Z можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| FCU2250N80Z |
PTH |
N |
39 |
800 |
20 |
4.5 |
2.6 |
2.25 |
- |
6.7 |
16 |
150 |
IPAK |