Транзистор FCD3400N80Z
FCD3400N80Z - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: DPAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 32 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 800 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 2 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 3.4 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 6.4 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 12.7 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FCD3400N80Z можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| FCU3400N80Z |
PTH |
N |
32 |
800 |
20 |
4.5 |
2 |
3.4 |
- |
6.4 |
12.7 |
150 |
IPAK |