Справочник электронных компонентов

Транзистор FDA20N50_F109

FDA20N50_F109 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-3PN

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 280 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
Максимальный постоянный ток стока, Id: 22 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.23 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 59.5 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор FDA20N50_F109 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
AOK42S60	PTH	N	417	600	30	-	39	0.099	40	53	135	150	TO-247
AOK53S60	PTH	N	520	600	30	3.8	53	0.07	59	102	222	150	TO-247
AOT42S60	PTH	N	417	600	30	-	37	0.109	40	53	135	150	TO-220
APT5018BLL	PTH	N	300	500	30	-	27	0.18	58	9	510	150	TO-247
FDP22N50N	PTH	N	312.5	500	30	5	22	0.22	49	-	-	150	TO-220
IXFH26N50P	PTH	N	400	500	30	5.5	26	0.23	60	200	-	150	TO-247
IXFV26N50P	PTH	N	400	500	30	5.5	26	0.23	60	200	-	150	PLUS220
IXFV26N50PS	SMD	N	400	500	30	5.5	26	0.23	60	200	-	150	PLUS220SMD
SIHG22N50D	PTH	N	312	500	30	5	22	0.23	49	42	169	150	TO-247AC