Транзистор FDA50N50
FDA50N50 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-3PN
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 625 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 48 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.105 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 105 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FDA50N50 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| FDH50N50 |
PTH |
N |
625 |
500 |
20 |
5 |
48 |
0.105 |
105 |
- |
- |
150 |
TO-247 |
| IXFH60N50P3 |
PTH |
N |
1040 |
500 |
30 |
5 |
60 |
0.1 |
96 |
250 |
- |
150 |
TO-247 |
| IXFQ60N50P3 |
PTH |
N |
1040 |
500 |
30 |
5 |
60 |
0.1 |
96 |
250 |
- |
150 |
TO-3P |
| IXFT60N50P3 |
SMD |
N |
1040 |
500 |
30 |
5 |
60 |
0.1 |
96 |
250 |
- |
150 |
TO-268 |