FDAF59N30 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-3PF
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 161 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 300 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 34 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.056 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 100 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 575 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 710 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FDAF59N30 можно заменить на:
Нет элементов для замены