Справочник электронных компонентов

Транзистор FDB045AN08A0_F085

FDB045AN08A0_F085 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Основные характеристики:

Транзистор FDB045AN08A0_F085 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
AOB290L SMD N 500 100 20 4.1 140 0.0032 90 24 2780 175 TO-263
AOB480L SMD N 333 80 25 4 180 0.0042 116 33 810 175 TO-263
AOT290L PTH N 500 100 20 4.1 140 0.0035 90 24 2780 175 TO-220
AOT480L PTH N 333 80 25 4 180 0.0045 116 33 810 175 TO-220
AOW480 PTH N 333 80 25 4 180 0.0045 116 33 810 175 TO-262
AP97T07GP-HF PTH N 375 75 20 - 220 0.0036 120 240 1160 175 TO-220
AP97T07GR-HF PTH N 375 75 20 - 220 0.0036 120 240 1160 175 TO-262
AP97T07GW-HF PTH N 375 75 20 - 220 0.0036 110 230 1160 175 TO-3P
BUK764R2-80E SMD N 324 80 20 4 120 0.0042 136 45.5 753 175 D2PAK
CSD19506KCS PTH N 375 80 20 3.2 150 0.0023 120 11 2260 175 TO-220
CSD19536KCS PTH N 375 100 20 3.2 150 0.0027 118 14 1820 175 TO-220
CSD19536KTT SMD N 375 100 20 3.2 200 0.0024 118 8 1820 175 D2PAK
FDB035N10A SMD N 333 100 20 4 125 0.0035 89 - - 175 TO-263
FDB045AN08_F085 SMD N 310 75 20 - 90 0.0045 92 - - 175 TO-263
FDB045AN08A0 SMD N 310 75 20 4 90 0.0045 92 - - 175 TO-263
FDP036N10A PTH N 333 100 20 4 125 0.0036 89 - - 175 TO-220
MTE05N08E3 PTH N 333 80 25 - 180 0.0043 120 41 702 175 TO-220AB
PSMN3R3-80ES PTH N 338 80 20 4 120 0.0033 135 43 847 175 I2PAK
PSMN3R3-80PS PTH N 338 80 20 4 120 0.0033 135 43 847 175 TO-220AB
PSMN3R5-80ES PTH N 338 80 20 4 120 0.0035 139 - - 175 I2PAK
PSMN3R5-80PS PTH N 338 80 20 4 120 0.0035 139 - - 175 TO-220AB
SQM120N10-3M8 SMD N 375 100 20 3.5 120 0.0038 125 110 3070 175 TO-263
STP160N75F3 PTH N 315 75 20 4 120 0.004 85 - - 175 TO-220
STW160N75F3 PTH N 315 75 20 4 120 0.004 85 - - 175 TO-247
TK160F10N1 SMD N 375 100 20 4 160 0.0024 121 22 3960 175 TO-220SM