Транзистор FDB2670
FDB2670 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-263
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 93 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 200 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 19 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.13 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 5 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 71 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор FDB2670 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| FDP2670 |
PTH |
N |
93 |
200 |
20 |
4.5 |
19 |
0.13 |
- |
5 |
71 |
175 |
TO-220 |
| KDB2670 |
SMD |
N |
93 |
200 |
20 |
4.5 |
19 |
0.13 |
27 |
5 |
71 |
175 |
TO-263 |