Справочник электронных компонентов

Транзистор FDB3632_F085

FDB3632_F085 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: TO-263

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 310 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
Максимальный постоянный ток стока, Id: 80 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.009 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 84 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц

Транзистор FDB3632_F085 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
FDB075N15A	SMD	N	333	150	20	4	92	0.0075	77	-	-	175	TO-263
FDB075N15A_F085	SMD	N	333	150	20	-	110	0.0075	80	-	-	175	TO-263
FDB3632	SMD	N	310	100	20	4	80	0.009	84	-	-	175	TO-263
FDBL0630N150	SMD	N	500	150	20	4	169	0.005	70	-	-	175	H-PSOF8L
FDBL86210_F085	SMD	N	500	150	20	-	169	0.0063	70	-	-	175	H-PSOF8L
FDH3632	PTH	N	310	100	20	4	80	0.009	84	-	-	175	TO-247,TO-3P,TO-3PF
FDI3632	PTH	N	310	100	20	4	80	0.009	84	-	-	175	TO-262
FDP075N15A_F102	PTH	N	333	150	20	-	92	0.0075	77	-	-	175	TO-220
KDB3632	SMD	N	310	100	20	4	80	0.009	84	39	820	175	TO-263