Транзистор FDB3860
FDB3860 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-263
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 71 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 30 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.037 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 30 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FDB3860 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IXTP44N10T |
PTH |
N |
130 |
100 |
30 |
4.5 |
44 |
0.03 |
27.4 |
60 |
- |
175 |
TO-220 |
| IXTY44N10T |
SMD |
N |
130 |
100 |
30 |
4.5 |
44 |
0.03 |
27.4 |
60 |
- |
175 |
TO-252 |
| QM0018AD |
SMD |
N |
90 |
100 |
20 |
4.5 |
45 |
0.022 |
27.6 |
17.2 |
268 |
150 |
TO-252 |