Транзистор FDB52N20TM
FDB52N20TM - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: D2PAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 357 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 200 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 52 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.049 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 175 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 540 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FDB52N20TM можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IRFB4233PBF |
PTH |
N |
370 |
230 |
30 |
5 |
56 |
0.037 |
120 |
71 |
480 |
175 |
TO-220AB |
| IXTI76N25T |
PTH |
N |
460 |
250 |
30 |
5 |
76 |
0.039 |
92 |
25 |
480 |
150 |
TO-262 |
| IXTQ80N28T |
PTH |
N |
500 |
280 |
30 |
5 |
80 |
0.049 |
115 |
47 |
510 |
150 |
TO-3P |