Транзистор FDB6670AL
FDB6670AL - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-263
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 75 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 80 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0065 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 33 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FDB6670AL можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| FDP6670AL |
PTH |
N |
75 |
30 |
20 |
3 |
80 |
0.0065 |
33 |
- |
- |
150 |
TO-220 |
| SPMT16040F |
PTH |
N |
187 |
40 |
20 |
3 |
80 |
0.004 |
25 |
62 |
590 |
175 |
TO-220AB |
| SUD50N03-06P |
SMD |
N |
88 |
30 |
20 |
3 |
84 |
0.0065 |
21 |
12 |
565 |
175 |
TO-252 |