Транзистор FDB6690S
FDB6690S - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-263AB
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 48 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 42 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0155 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 9 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 342 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FDB6690S можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| FDU6680 |
PTH |
N |
56 |
30 |
20 |
3 |
46 |
0.01 |
- |
7 |
325 |
175 |
TO-251AA |
| KDD6030L |
SMD |
N |
56 |
30 |
20 |
3 |
50 |
0.0145 |
13 |
7 |
325 |
175 |
TO-252 |
| MSD50N03 |
SMD |
N |
60 |
30 |
20 |
3 |
50 |
0.009 |
- |
8 |
275 |
175 |
TO-252 |