Транзистор FDB8441
FDB8441 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-263
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 300 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 40 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 80 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0025 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 125 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор FDB8441 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| BUK761R7-40E |
SMD |
N |
324 |
40 |
20 |
4 |
120 |
0.0016 |
118 |
49 |
1376 |
175 |
D2PAK |
| BUK7E1R9-40E |
PTH |
N |
324 |
40 |
20 |
4 |
120 |
0.0019 |
118 |
49 |
1376 |
175 |
I2PAK |
| FDB86563_F085 |
SMD |
N |
333 |
60 |
20 |
4 |
110 |
0.0018 |
126 |
110 |
2355 |
175 |
D2PAK |
| FDBL0120N40 |
SMD |
N |
300 |
40 |
20 |
4 |
240 |
0.0009 |
90 |
- |
- |
175 |
H-PSOF8L |
| PSMN2R2-40BS |
SMD |
N |
306 |
40 |
20 |
4 |
100 |
0.0022 |
110 |
40.4 |
1671 |
175 |
D2PAK |
| STB270N4F3 |
SMD |
N |
330 |
40 |
20 |
4 |
160 |
0.0025 |
110 |
- |
- |
175 |
D2PAK |
| STV200N55F3 |
SMD |
N |
300 |
55 |
20 |
4 |
200 |
0.0025 |
100 |
150 |
1450 |
175 |
PowerSO-10 |
| STV250N55F3 |
SMD |
N |
300 |
55 |
20 |
4 |
250 |
0.0022 |
100 |
- |
- |
175 |
PowerSO-10 |
| STV270N4F3 |
SMD |
N |
300 |
40 |
20 |
4 |
270 |
0.0015 |
110 |
- |
- |
175 |
PowerSO-10 |
| TK160F10N1 |
SMD |
N |
375 |
100 |
20 |
4 |
160 |
0.0024 |
121 |
22 |
3960 |
175 |
TO-220SM |