Справочник электронных компонентов

Транзистор FDB8443

FDB8443 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: TO-263

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 188 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 40 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 182 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.003 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 142 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц

Транзистор FDB8443 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
AUIRF3004WL	PTH	N	375	40	20	4	386	0.0014	140	-	-	175	TO-262
AUIRF3805L-7P	SMD	N	300	55	20	4	240	0.0026	130	-	-	175	TO-263CA
AUIRF3805S-7P	SMD	N	300	55	20	4	240	0.0026	130	-	-	175	D2PAK
AUIRFS3206	SMD	N	300	60	20	4	210	0.003	120	-	-	175	D2PAK
FDBL0120N40	SMD	N	300	40	20	4	240	0.0009	90	-	-	175	H-PSOF8L
IRF3805S-7P	SMD	N	300	55	20	4	240	0.0026	130	-	-	175	D2PAK
IRFS3206	SMD	N	300	60	20	4	210	0.003	120	-	-	175	D2PAK
STV200N55F3	SMD	N	300	55	20	4	200	0.0025	100	150	1450	175	PowerSO-10
STV240N75F3	SMD	N	300	75	20	4	240	0.0026	85	-	-	175	PowerSO-10
STV250N55F3	SMD	N	300	55	20	4	250	0.0022	100	-	-	175	PowerSO-10
STV270N4F3	SMD	N	300	40	20	4	270	0.0015	110	-	-	175	PowerSO-10