Транзистор FDC5612
FDC5612 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SuperSOT-6
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.6 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 4.3 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.055 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 12.5 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FDC5612 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| FDS86141 |
SMD |
N |
5 |
100 |
20 |
4 |
7 |
0.023 |
11.8 |
- |
- |
150 |
SO-8 |
| FDS86252 |
SMD |
N |
5 |
150 |
20 |
4 |
4.5 |
0.055 |
10.6 |
- |
- |
150 |
SO-8 |