Транзистор FDC602P
FDC602P - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SuperSOT-6
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.6 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 12 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 5.5 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.035 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 11 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 300 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FDC602P можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AP4413GM |
SMD |
P |
2.5 |
20 |
20 |
1.5 |
7.8 |
0.03 |
- |
11 |
250 |
150 |
SO-8 |
| AP4413GM-HF |
SMD |
P |
2.5 |
20 |
20 |
1.5 |
7.8 |
0.03 |
- |
11 |
250 |
150 |
SO-8 |
| SIA415DJ |
SMD |
P |
3.5 |
20 |
12 |
1.5 |
8.4 |
0.035 |
31 |
10 |
250 |
150 |
SC-70-6L |
| SIA449DJ |
SMD |
P |
3.5 |
30 |
12 |
1.5 |
10.4 |
0.02 |
48 |
10 |
168 |
150 |
SC-70-6L |