Транзистор FDC640P
FDC640P - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SuperSOT-6
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.6 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 12 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 4.5 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.053 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 9 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 244 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FDC640P можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AO4405E |
SMD |
P |
2.5 |
30 |
20 |
1.5 |
6 |
0.045 |
- |
9 |
100 |
150 |
SO-8 |
| AON2407 |
SMD |
P |
2.8 |
30 |
12 |
1.5 |
6.3 |
0.0375 |
- |
7 |
105 |
150 |
DFN2X2B |