Транзистор FDC645N
FDC645N - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SuperSOT-6
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.6 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 12 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 5.5 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.03 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 9 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 227 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FDC645N можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AO4478 |
SMD |
N |
3.1 |
30 |
25 |
2 |
9 |
0.019 |
- |
8 |
90 |
150 |
SO-8 |
| AO4724 |
SMD |
N |
3.1 |
30 |
20 |
2 |
10.5 |
0.0175 |
- |
6.8 |
199 |
150 |
SO-8 |
| CSD17579Q5A |
SMD |
N |
3.1 |
30 |
20 |
2 |
14 |
0.0097 |
5.4 |
7 |
95 |
150 |
SON5X6 |
| MDV1595SURH |
SMD |
N |
3.4 |
30 |
12 |
2 |
13.4 |
0.0107 |
- |
3.1 |
198 |
150 |
PDFN3X3EP |
| RF4E070BN |
SMD |
N |
2 |
30 |
20 |
2 |
7 |
0.0286 |
8.9 |
8 |
50 |
150 |
DFN2020-8S |