Транзистор FDC855N
FDC855N - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SuperSOT-6
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.6 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 6.1 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.027 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 9.2 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FDC855N можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AM3402N |
SMD |
N |
1.6 |
30 |
20 |
3 |
6.3 |
0.027 |
9 |
10 |
- |
150 |
TSOP-6 |
| AM5430N |
SMD |
N |
3.5 |
30 |
20 |
3 |
10 |
0.022 |
3.06 |
3.7 |
- |
150 |
DFN3X2 |
| FDC655BN |
SMD |
N |
1.6 |
30 |
20 |
3 |
6.3 |
0.025 |
9 |
- |
- |
150 |
SuperSOT-6 |
| FDS6612A |
SMD |
N |
2.5 |
30 |
20 |
3 |
8.4 |
0.022 |
5.4 |
- |
- |
150 |
SO-8 |
| MMN4414 |
SMD |
N |
3 |
30 |
20 |
3 |
8.5 |
0.026 |
7.58 |
3.12 |
86.16 |
150 |
SOP-8 |
| MMN4418 |
SMD |
N |
3 |
30 |
25 |
3 |
11.5 |
0.017 |
6.75 |
3.44 |
125.41 |
150 |
SO-8 |
| MMN4422 |
SMD |
N |
3 |
30 |
20 |
3 |
11 |
0.015 |
7.7 |
8.4 |
159.6 |
150 |
SOP-8 |
| SK830321KL |
SMD |
N |
13 |
30 |
20 |
3 |
7 |
0.024 |
3.9 |
3 |
69 |
150 |
HSSO8-F1-B |
| SK860318L |
SMD |
N |
2.4 |
30 |
20 |
3 |
15 |
0.0071 |
9.2 |
6 |
140 |
150 |
HSO8-F4-B |
| SK860319L |
SMD |
N |
2.7 |
30 |
20 |
3 |
12 |
0.01 |
6.3 |
3 |
160 |
150 |
HSO8-F4-B |
| SSM4800AGM |
SMD |
N |
2.5 |
30 |
25 |
3 |
9.4 |
0.014 |
7 |
8 |
210 |
150 |
SO-8 |