Транзистор FDD050N03B

FDD050N03B - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: TO-252

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 65 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 16 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 90 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.005 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 33 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: -
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц

Транзистор FDD050N03B можно заменить на:

Нет элементов для замены