Транзистор FDD10N20LZTM
FDD10N20LZTM - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: DPAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 56 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 200 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 7.6 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.36 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 15 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 75 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FDD10N20LZTM можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AOD2210 |
SMD |
N |
100 |
200 |
20 |
2.5 |
18 |
0.105 |
- |
10 |
74 |
175 |
TO-252 |
| AOI2210 |
PTH |
N |
100 |
200 |
20 |
2.5 |
18 |
0.105 |
- |
10 |
74 |
175 |
TO-251A |
| C2M0160120D |
PTH |
N |
125 |
1200 |
25 |
2.5 |
17.7 |
0.196 |
32.6 |
12 |
47 |
150 |
TO-247-3 |