Транзистор FDD16AN08A0
FDD16AN08A0 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 135 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 75 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 50 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.016 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 31 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор FDD16AN08A0 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| FDB16AN08A0 |
SMD |
N |
135 |
75 |
20 |
4 |
58 |
0.016 |
28 |
- |
- |
175 |
TO-263 |
| FDP16AN08A0 |
PTH |
N |
135 |
75 |
20 |
4 |
58 |
0.016 |
28 |
- |
- |
175 |
TO-220 |
| ST75N75 |
PTH |
N |
200 |
75 |
20 |
4 |
93 |
0.011 |
30 |
36 |
540 |
175 |
TO-220 |