Транзистор FDD2570
FDD2570 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 70 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 150 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 4.7 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.08 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 7 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 117 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FDD2570 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| FDB2570 |
SMD |
N |
93 |
150 |
20 |
4 |
22 |
0.08 |
- |
5 |
106 |
175 |
TO-263 |
| FDP2570 |
PTH |
N |
93 |
150 |
20 |
4 |
22 |
0.08 |
- |
5 |
106 |
175 |
TO-220 |
| IPL65R070C7 |
SMD |
N |
169 |
650 |
20 |
4 |
28 |
0.07 |
- |
6 |
48 |
150 |
ThinPAK8X8 |
| IPZ65R065C7 |
PTH |
N |
171 |
650 |
20 |
4 |
33 |
0.065 |
- |
7 |
48 |
150 |
TO-247-4 |
| KDB2570 |
SMD |
N |
93 |
150 |
20 |
4 |
22 |
0.08 |
40 |
5 |
106 |
175 |
TO-263 |