Транзистор FDD5680
FDD5680 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: DPAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 60 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 38 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.021 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 33 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 1835 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FDD5680 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| ST75N75 |
PTH |
N |
200 |
75 |
20 |
4 |
93 |
0.011 |
30 |
36 |
540 |
175 |
TO-220 |
| TK35E08N1 |
PTH |
N |
72 |
80 |
20 |
4 |
55 |
0.0122 |
25 |
11 |
440 |
150 |
TO-220 |