Транзистор FDD5N50
FDD5N50 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 40 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 4 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 1.4 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 11 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FDD5N50 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| TK5P60W |
SMD |
N |
60 |
600 |
30 |
3.7 |
5.4 |
0.9 |
10.5 |
18 |
10 |
150 |
DPAK |
| TK5P65W |
SMD |
N |
60 |
650 |
30 |
3.5 |
5.2 |
1.22 |
10.5 |
17 |
10 |
150 |
DPAK |
| TK5Q60W |
PTH |
N |
60 |
600 |
30 |
3.7 |
5.4 |
0.9 |
10.5 |
18 |
10 |
150 |
IPAK |
| TK5Q65W |
PTH |
N |
60 |
650 |
30 |
3.5 |
5.2 |
1.22 |
10.5 |
17 |
10 |
150 |
IPAK |
| TK6P65W |
SMD |
N |
60 |
650 |
30 |
3.5 |
5.8 |
1.05 |
11 |
14 |
12 |
150 |
DPAK |
| TK6Q65W |
PTH |
N |
60 |
650 |
30 |
3.5 |
5.8 |
1.05 |
11 |
14 |
12 |
150 |
IPAK |