Транзистор FDD5N50NZ
FDD5N50NZ - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 62 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 25 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 4 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 1.5 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 12 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FDD5N50NZ можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| SIHD5N50D |
SMD |
N |
104 |
500 |
30 |
5 |
5.3 |
1.5 |
10 |
11 |
34 |
150 |
TO-252 |
| SIHU5N50D |
PTH |
N |
104 |
500 |
30 |
5 |
5.3 |
1.5 |
10 |
11 |
34 |
150 |
TO-251 |
| STB12NM50FDT4 |
SMD |
N |
160 |
500 |
30 |
5 |
12 |
0.4 |
12 |
10 |
390 |
150 |
D2PAK |
| STD11N50M2 |
SMD |
N |
85 |
500 |
25 |
4 |
8 |
0.53 |
12 |
9 |
26 |
150 |
DPAK |
| STP12NM50FD |
PTH |
N |
160 |
500 |
30 |
5 |
12 |
0.4 |
12 |
10 |
390 |
150 |
TO-220 |
| STW14NM50FD |
PTH |
N |
160 |
500 |
30 |
5 |
14 |
0.4 |
12 |
10 |
390 |
150 |
TO-247 |