Транзистор FDD6632
FDD6632 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252AA
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 15 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 9 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.07 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 41 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 73 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор FDD6632 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AOD4102 |
SMD |
N |
21 |
30 |
20 |
3 |
12 |
0.037 |
- |
10 |
45 |
175 |
TO-252 |
| AOI4102 |
PTH |
N |
21 |
30 |
20 |
3 |
19 |
0.037 |
- |
10 |
45 |
175 |
TO-251A |