Транзистор FDD6672A
FDD6672A - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 70 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 12 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 65 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.008 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 18 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 550 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FDD6672A можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AFN3606S |
PTH |
N |
75 |
30 |
20 |
2 |
75 |
0.005 |
50 |
12 |
550 |
150 |
TO-220 |
| AOL1414 |
SMD |
N |
100 |
30 |
12 |
2 |
85 |
0.0065 |
- |
11 |
536 |
175 |
UltraSO-8 |