Транзистор FDD8444
FDD8444 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 153 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 40 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 145 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0052 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 89 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор FDD8444 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AUIRFS3306 |
SMD |
N |
230 |
60 |
20 |
4 |
160 |
0.0042 |
85 |
- |
- |
175 |
D2PAK |
| FDB86135 |
SMD |
N |
227 |
100 |
20 |
4 |
176 |
0.0035 |
89 |
- |
- |
175 |
TO-263 |
| FDBL0630N150 |
SMD |
N |
500 |
150 |
20 |
4 |
169 |
0.005 |
70 |
- |
- |
175 |
H-PSOF8L |
| IRFS3306 |
SMD |
N |
230 |
60 |
20 |
4 |
160 |
0.0042 |
85 |
- |
- |
175 |
D2PAK |
| IXTA160N04T2 |
SMD |
N |
250 |
40 |
20 |
4 |
160 |
0.005 |
79 |
40 |
- |
175 |
TO-263 |
| IXTP160N04T2 |
PTH |
N |
250 |
40 |
20 |
4 |
160 |
0.005 |
79 |
40 |
- |
175 |
TO-220 |
| STV240N75F3 |
SMD |
N |
300 |
75 |
20 |
4 |
240 |
0.0026 |
85 |
- |
- |
175 |
PowerSO-10 |