Транзистор FDD8580
FDD8580 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252AA
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 49.5 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 35 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.009 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 11 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 340 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор FDD8580 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AOD418 |
SMD |
N |
50 |
30 |
20 |
2.5 |
36 |
0.0075 |
- |
2 |
180 |
175 |
TO-252 |
| AOI418 |
PTH |
N |
50 |
30 |
20 |
2.5 |
36 |
0.008 |
- |
2 |
180 |
175 |
TO-251A |
| AOL1454G |
SMD |
N |
52 |
40 |
20 |
2.5 |
46 |
0.0059 |
- |
11 |
245 |
175 |
UltraSO-8 |
| FDU8580 |
PTH |
N |
49.5 |
20 |
20 |
2.5 |
35 |
0.009 |
- |
11 |
340 |
175 |
TO-251AA |
| FDU8780 |
PTH |
N |
50 |
25 |
20 |
2.5 |
35 |
0.0085 |
- |
9 |
265 |
175 |
TO-251AA |
| FDU8780_F071 |
PTH |
N |
50 |
25 |
20 |
2.5 |
35 |
0.0085 |
- |
9 |
265 |
175 |
TO-251AA |
| QM3022D |
SMD |
N |
53.6 |
30 |
20 |
2.5 |
70 |
0.007 |
13.2 |
10.6 |
262 |
175 |
TO-252 |
| SQJ460AEP |
SMD |
N |
83 |
60 |
20 |
2.5 |
64 |
0.0087 |
71 |
11 |
282 |
175 |
PowerPAKSO-8L |