Транзистор FDD8586
FDD8586 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252AA
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 77 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 35 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0055 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 11 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 550 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор FDD8586 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| FDU8586 |
PTH |
N |
77 |
20 |
20 |
2.5 |
35 |
0.0055 |
- |
11 |
550 |
175 |
TO-251AA |
| SQJ422EP |
SMD |
N |
83 |
40 |
20 |
2.5 |
75 |
0.0034 |
67 |
10 |
553 |
175 |
PowerPAKSO-8L |