Транзистор FDD86367_F085
FDD86367_F085 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: DPAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 227 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 80 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 100 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0042 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 49 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 814 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор FDD86367_F085 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AOB480L |
SMD |
N |
333 |
80 |
25 |
4 |
180 |
0.0042 |
116 |
33 |
810 |
175 |
TO-263 |
| BUK764R2-80E |
SMD |
N |
324 |
80 |
20 |
4 |
120 |
0.0042 |
136 |
45.5 |
753 |
175 |
D2PAK |
| PSMN3R3-80BS |
SMD |
N |
306 |
80 |
20 |
4 |
120 |
0.0035 |
104 |
29 |
701 |
175 |
D2PAK |