Транзистор FDD86369_F085
FDD86369_F085 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: DPAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 150 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 80 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 90 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0079 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 34 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 430 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор FDD86369_F085 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| BUK7Y7R8-80E |
SMD |
N |
238 |
80 |
20 |
4 |
100 |
0.0078 |
63.3 |
25 |
395 |
175 |
LFPAK56 |
| PSMN6R5-80BS |
SMD |
N |
210 |
80 |
20 |
4 |
100 |
0.0069 |
61 |
24 |
410 |
175 |
D2PAK |