Транзистор FDD8778
FDD8778 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 39 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 25 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 35 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.014 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 12.6 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор FDD8778 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| NTD4809NH |
SMD и PTH |
N |
52 |
30 |
20 |
2.5 |
58 |
0.009 |
12.5 |
20 |
331 |
175 |
TO-251,TO-252 |
| NTD4809NHG |
SMD и PTH |
N |
52 |
30 |
20 |
2.5 |
58 |
0.009 |
12.5 |
20 |
331 |
175 |
TO-251,TO-252 |
| NVD4808N |
SMD |
N |
54.6 |
30 |
20 |
2.5 |
63 |
0.008 |
11.3 |
21.3 |
334 |
175 |
DPAK |
| NVD4809N |
SMD |
N |
52 |
30 |
20 |
2.5 |
58 |
0.009 |
11 |
21.3 |
315 |
175 |
DPAK |
| NVD4810N |
SMD |
N |
50 |
30 |
20 |
2.5 |
54 |
0.01 |
9.2 |
20.7 |
284 |
175 |
DPAK |
| QM3004D |
SMD |
N |
41 |
30 |
20 |
2.5 |
55 |
0.0085 |
12.6 |
12.2 |
163 |
175 |
TO-252 |
| QM3004U |
PTH |
N |
41 |
30 |
20 |
2.5 |
55 |
0.0085 |
12.6 |
12.2 |
163 |
175 |
TO-251 |
| QM3024D |
SMD |
N |
41.7 |
30 |
20 |
2.5 |
51 |
0.009 |
10.6 |
70.6 |
194 |
175 |
TO-252 |