Транзистор FDD8870_F085
FDD8870_F085 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 160 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 160 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0039 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 91 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор FDD8870_F085 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AOB1404L |
SMD |
N |
417 |
40 |
20 |
3.7 |
220 |
0.0039 |
71 |
30 |
1388 |
175 |
TO-263 |
| BUK763R4-30 |
SMD |
N |
255 |
30 |
20 |
4 |
198 |
0.0034 |
75 |
64 |
1249 |
175 |
D2PAK |
| CSD18535KCS |
PTH |
N |
300 |
60 |
20 |
2.4 |
200 |
0.002 |
63 |
3 |
890 |
175 |
TO-220 |
| CSD18536KCS |
PTH |
N |
375 |
60 |
20 |
2.2 |
200 |
0.0016 |
83 |
17 |
1700 |
175 |
TO-220 |
| CSD19535KTT |
SMD |
N |
300 |
100 |
20 |
3.4 |
197 |
0.0034 |
75 |
18 |
1160 |
175 |
D2PAK |
| FDB86135 |
SMD |
N |
227 |
100 |
20 |
4 |
176 |
0.0035 |
89 |
- |
- |
175 |
TO-263 |
| FDBL0120N40 |
SMD |
N |
300 |
40 |
20 |
4 |
240 |
0.0009 |
90 |
- |
- |
175 |
H-PSOF8L |
| FDBL9406_F085 |
SMD |
N |
300 |
40 |
20 |
- |
240 |
0.0012 |
90 |
- |
- |
175 |
H-PSOF8L |
| FDD8870 |
SMD |
N |
160 |
30 |
20 |
2.5 |
160 |
0.0039 |
91 |
- |
- |
175 |
TO-252 |
| IRL3713S |
SMD |
N |
200 |
30 |
20 |
2.5 |
200 |
0.003 |
75 |
- |
- |
175 |
D2PAK |
| IRLB3813PBF |
PTH |
N |
230 |
30 |
20 |
2.35 |
260 |
0.00195 |
86 |
170 |
1620 |
175 |
TO-220AB |
| MTB1D7N03E3 |
PTH |
N |
214 |
30 |
20 |
- |
203 |
0.002 |
41 |
21 |
935 |
175 |
TO-220 |
| STV240N75F3 |
SMD |
N |
300 |
75 |
20 |
4 |
240 |
0.0026 |
85 |
- |
- |
175 |
PowerSO-10 |